| Suppression of 1/f noise in near-ballistic h-BN-graphene-h-BN heterostructure field-effect transistors MA Stolyarov, G Liu, SL Rumyantsev, M Shur, AA Balandin Applied Physics Letters 107 (2), 2015 | 114 | 2015 |
| Breakdown current density in h-BN-capped quasi-1D TaSe3 metallic nanowires: prospects of interconnect applications MA Stolyarov, G Liu, MA Bloodgood, E Aytan, C Jiang, R Samnakay, ... Nanoscale 8 (34), 15774-15782, 2016 | 106 | 2016 |
| Study of temperature dependence of positive charge generation in thin dielectric film of MOS structure under high-fields GG Bondarenko, VV Andreev, VE Drach, SA Loskutov, MA Stolyarov Thin solid films 515 (2), 670-673, 2006 | 38 | 2006 |
| Метод двухуровневой токовой нагрузки для контроля параметров положительного заряда МДП-структур в сильных электрических полях ВВ Андреев, ВГ Барышев, ГГ Бондаренко, ВЕ Драч, МА Столяров Перспективные материалы, 94-99, 2003 | 3 | 2003 |
| Влияние температуры на накопление положительного заряда в МДП-структурах в условиях сильнополевой инжекции ВВ Андреев, ГГ Бондаренко, ВЕ Драч, СА Лоскутов, МА Столяров, ... Перспективные материалы, 32-37, 2006 | 2 | 2006 |
| Low-noise near-ballistic BN-graphene-BN heterostructure field-effect transistors for energy efficient electronic applications MA Stolyarov, SL Rumyantsev, M Shur, AA Balandin 2015 Fourth Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems (E3S), 1-2, 2015 | 1 | 2015 |
| Electronic 1/f Noise in h-BN-Graphene- h-BN and High Breakdown Current Density in h-BN-TaSe 3 van der Waals Heterostructures M Stolyarov University of California, Riverside, 2018 | | 2018 |
| Quasi-1D van der Waals materials as high current-density local interconnects (Conference Presentation) M Stolyarov, E Aytan, M Bloodgood, TT Salguero, AA Balandin Nanoengineering: Fabrication, Properties, Optics, and Devices XIII 9927, 122-122, 2016 | | 2016 |
| Reduced 1/f noise in high-mobility BN-graphene-BN heterostructure transistors MA Stolyarov, G Liu, SL Rumyantsev, M Shur, AA Balandin 2015 73rd Annual Device Research Conference (DRC), 153-154, 2015 | | 2015 |
| Electrical and Optical Switching Phenomena in Exfoliated Films of TaSe(2) R Samnakay, C Jiang, J Renteria, M Stolyarov, A Balandin Techcon 2014, 2014 | | 2014 |
| Optical Switching Phenomena in Tantalum Diselenide Thin Films R Samnakay, J Renteria, C Jiang, T Pope, Z Yan, P Goli, M Stolyarov, ... 2014 MRS Spring Meeting and Exhibit, 2014 | | 2014 |
| Исследование влияния температуры на инжекционную модификацию МДП-транзисторов ВВ Андреев, МА Столяров, МС Васютин, СИ Коротков Наукоемкие технологии в приборо- и машиностроении и развитие инновационной …, 2007 | | 2007 |
| Исследование процессов инжекционной модификации в структурах металл-диэлектрик-полупроводник и приборах на их основе МА Столяров Государственное образовательное учреждение высшего профессионального …, 2007 | | 2007 |
| Исследование термополевой стабильности инжекционно модифицированных МДП-приборов МА Столяров Наукоемкие технологии в приборо- и машиностроении и развитие инновационной …, 2007 | | 2007 |
| Effect of temperature on the building of positive charge in MIS structures in the strong field injection conditions VV Andreev, GG Bondarenko, VE Drach, SA Loskutov, MA Stolyarov, ... Journal of Advanced Materials 13 (4), 282-287, 2006 | | 2006 |
| Hold time estimation of thermo-stable component of injection stimulated charge in MOS structures V Andreev, G Bondarenko, M Stolyarov Physics of Electronic Materials PEM'2005, 250-251, 2005 | | 2005 |
| Воздействие радиационного облучения на инжекционно-индуцированный заряд ВВ Андреев, ИВ Чухраев, МА Столяров Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении, 288, 2004 | | 2004 |
| Влияние протонного облучения на инжекционно модифицированные структуры металл-диэлектрик-полупроводник ВВ Андреев, ГГ Бондаренко, МА Столяров Радиационная физика твердого тела: Труды 14 Международного совещания, 231-235, 2004 | | 2004 |
| Method for Fabrication of MOS transistors V Andreev, V Baryshev, G Bondarenko, M Maslovskiy, M Stolyarov, ... RU Patent 2,206,142, 2003 | | 2003 |
| Исследование статистического распределения параметров МДП-структур, подвергшихся инжекционной модификации ВЕ Драч, МА Столяров, АЛ Ткаченко III Межвузовская научная школа молодых специалистов "Концентрированные …, 2002 | | 2002 |
Alexander A. BalandinDistinguished Professor of Materials Science and Engineering, UCLAبريد إلكتروني تم التحقق منه على seas.ucla.edu
