Yong-Hoon Kim

عدد مرات الاقتباسات

	الكل	قبل 2019
اقتباسات	3360	1751
h-index	31	23
i10-index	71	50

440

220

110

330

1999200020012002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202412 26 31 21 47 40 79 109 101 113 114 126 86 65 70 77 88 105 122 163 176 219 221 313 380 435

عدد المنشورات المتاحة للجميع

عرض المجموعة جميعها

مقالة واحدة

0 مقالة*

المقالات البحثية المتاحة للجميع

المقالات البحثية غير المتاحة للجميع

تمّ اختيار المعلومات استنادًا إلى تفويضات التمويل

المؤلفون المشاركون

William A Goddard IIIProfessor Chemistry, Materials Science, Applied Physicsبريد إلكتروني تم التحقق منه على caltech.edu
Han Seul KimChungbuk National Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على chungbuk.ac.kr
Seung Soon JangGeorgia Institute of Technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على mse.gatech.edu
Juho LeeComputational Science and Engineering, Samsung electronicsبريد إلكتروني تم التحقق منه على samsung.com
Tae Hyung KimSamsung Electronics/Foundryبريد إلكتروني تم التحقق منه على kaist.ac.kr
Jeung Ku KangKorea Advanced Institute of Science and Technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على kaist.ac.kr
Richard MartinUniversity of Illinois at Urbana Champaign and Stanford Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على illinois.edu
Yun Hee JangDepartment of Energy Systems Engineering, DGISTبريد إلكتروني تم التحقق منه على dgist.ac.kr
Jin-Hong ParkSchool of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU)بريد إلكتروني تم التحقق منه على skku.edu
Muhammad Ejaz KhanPost-Doctoral Scholar, School of Electrical Engineering, KAIST, Koreaبريد إلكتروني تم التحقق منه على kaist.ac.kr
Sungjoo LeeSungkyunkwan University (SKKU)بريد إلكتروني تم التحقق منه على skku.edu
Soungmin BaeInstitute for Materials Research (IMR), Tohoku Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على tohoku.ac.jp
Kee Joo ChangKorea Advanced Institute of Science and Technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على kaist.ac.kr
Jean-Pierre LeburtonG. Stillman Professor of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois at Urbana-Chamapaignبريد إلكتروني تم التحقق منه على illinois.edu
Andreas GorlingProfessor of Theoretical Chemistry, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnbergبريد إلكتروني تم التحقق منه على fau.de
Joonho ParkKorea Advanced Institute of Science and Technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على kaist.ac.kr
Kyung Cheol ChoiProfessor at School of Electrical Engineering, KAISTبريد إلكتروني تم التحقق منه على kaist.edu
Kiju YeeDepartment of Physics, Chungnam National University

متابعة

Yong-Hoon Kim

School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)

بريد إلكتروني تم التحقق منه على kaist.ac.kr - الصفحة الرئيسية

first-principles calculations quantum transport non-equilibrium processes TCAD nano-devices


عنوان ترتيب حسب الاقتباسات ترتيب حسب السنة الترتيب حسب العنوان	عدد مرات الاقتباسات عدد مرات الاقتباسات	السنة
Structures and properties of self-assembled monolayers of bistable [2] rotaxanes on Au (111) surfaces from molecular dynamics simulations validated with experiment‏ SS Jang, YH Jang, YH Kim, WA Goddard III, AH Flood, BW Laursen, ...‏ Journal of the American Chemical Society 127 (5), 1563-1575, 2005‏	242	2005
Excitonic optical spectrum of semiconductors obtained by time-dependent density-functional theory with the exact-exchange kernel‏ YH Kim, A Görling‏ Physical Review Letters 89 (9), 096402, 2002‏	156	2002
Modulation of the electronic properties of MXene (Ti3C2Tx) via surface-covalent functionalization with diazonium‏ H Jing, H Yeo, B Lyu, J Ryou, S Choi, JH Park, BH Lee, YH Kim, S Lee‏ ACS Nano 15 (1), 1388-1396, 2021‏	147	2021
Extremely large gate modulation in vertical graphene/WSe2 heterojunction barristor based on a novel transport mechanism‏ J Shim, HS Kim, YS Shim, DH Kang, HY Park, J Lee, J Jeon, SJ Jung, ...‏ Advanced Materials 28 (26), 5293–5299, 2016‏	115	2016
Molecular dynamics simulation of amphiphilic bistable [2] rotaxane Langmuir monolayers at the air/water interface‏ SS Jang, YH Jang, YH Kim, WA Goddard III, JW Choi, JR Heath, ...‏ Journal of the American Chemical Society 127 (42), 14804-14816, 2005‏	112	2005
An optogenetics‐inspired flexible van der Waals optoelectronic synapse and its application to a convolutional neural network‏ S Seo, JJ Lee, RG Lee, TH Kim, S Park, S Jung, HK Lee, M Andreev, ...‏ Advanced Materials 33 (40), 2102980, 2021‏	105	2021
Edge-selenated graphene nanoplatelets as durable metal-free catalysts for iodine reduction reaction in dye-sensitized solar cells‏ MJ Ju, I Jeon, HM Kim, JI Choi, S Jung, J Seo, IT Choi, SH Kang, HS Kim, ...‏ Science Advances 2 (6), e1501459, 2016‏	105	2016
Exact Kohn-Sham exchange kernel for insulators and its long-wavelength behavior‏ YH Kim, A Görling‏ Physical Review B 66 (3), 035114, 2002‏	105	2002
Insight into the microenvironments of the metal-ionic liquid interface during electrochemical CO2 reduction‏ HK Lim, Y Kwon, HS Kim, J Jeon, YH Kim, JA Lim, BS Kim, J Choi, H Kim‏ ACS Catalalysis 8 (3), 2420, 2018‏	95	2018
Two-dimensional limit of exchange-correlation energy functional approximations‏ YH Kim, IH Lee, S Nagaraja, JP Leburton, RQ Hood, RM Martin‏ Physical Review B 61 (8), 5202, 2000‏	95	2000
First-principles study of the switching mechanism of [2] catenane molecular electronic devices‏ YH Kim, SS Jang, YH Jang, WA Goddard III‏ Physical Review Letters 94 (15), 156801, 2005‏	91	2005
Coherent lattice vibrations in mono- and few-layer WSe2‏ TY Jeong, BM Jin, SH Rhim, L Debbichi, J Park, YD Jang, HR Lee, ...‏ ACS Nano 10 (5), 5560-5566, 2016‏	89	2016
Density functional theory studies of the [2] rotaxane component of the Stoddart−Heath molecular switch‏ YH Jang, S Hwang, YH Kim, SS Jang, WA Goddard‏ Journal of the American Chemical Society 126 (39), 12636-12645, 2004‏	85	2004
Ab initio study of the effect of water adsorption on the carbon nanotube field-effect transistor‏ D Sung, S Hong, YH Kim, N Park, S Kim, SL Maeng, KC Kim‏ Applied Physics Letters 89 (24), 243110, 2006‏	82	2006
Density-functional study of small molecules within the Krieger-Li-Iafrate approximation‏ YH Kim, M Städele, RM Martin‏ Physical Review A 60 (5), 3633, 1999‏	77	1999
Origins of genuine Ohmic van der Waals contact between indium and MoS2‏ BK Kim, TH Kim, DH Choi, H Kim, K Watanabe, T Taniguchi, H Rho, ...‏ npj 2D Materials and Applications 5 (1), 9, 2021‏	76	2021
First-principles approach to the charge-transport characteristics of monolayer molecular-electronics devices: Application to hexanedithiolate devices‏ YH Kim, J Tahir-Kheli, PA Schultz, WA Goddard III‏ Physical Review B 73 (23), 235419, 2006‏	71	2006
Electronic and magnetic properties of carbide MXenes—the role of electron correlations‏ S Bae, YG Kang, M Khazaei, K Ohno, YH Kim, MJ Han, KJ Chang, ...‏ Materials Today Advances 9, 100118, 2021‏	67	2021
HfO2/HfS2 hybrid heterostructure fabricated via controllable chemical conversion of two-dimensional HfS2‏ S Lai, S Byeon, SK Jang, J Lee, BH Lee, JH Park, YH Kim, S Lee‏ Nanoscale 10 (39), 18758-18766, 2018‏	67	2018
Shell-filling effects and Coulomb degeneracy in planar quantum dot structures‏ S Nagaraja, P Matagne, VY Thean, JP Leburton, YH Kim, RM Martin‏ Physical Review B 56 (24), 15752, 1997‏	67*	1997

يتعذر على النظام إجراء العملية في الوقت الحالي. عاود المحاولة لاحقًا.

مقالات 1–20

عدد الاقتباسات في العام

اقتباسات مكررة

الاقتباسات المدمجة

إضافة مؤلفين مشاركينالمؤلفون المشاركون

متابعة

عدد مرات الاقتباسات

المؤلفون المشاركون