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| Modélisation du transistor à effet de champ a grille Schottky a l'arseniure de gallium S Amourache, C Kenzai-Azizi | 4 | 2007 |
| Le transistor hyperfréquence a effet de champ a l'arséniure de Gallium: modèles mathématiques pour la conception assistée par ordinateur des circuits non lineaires … C Azizi Université de Toulouse, 1981 | 4 | 1981 |
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| Influence of surface recombination and the life time of minority carriers on the characteristics of MESFET (OPFET) GaN I Hamma, T Ziar, H Farh, Y Saidi, C Azizi Optik 233, 166479, 2021 | 2 | 2021 |
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| A simple drain current model for carbon nanotube field effect transistors R Marki, C Azizi, M Zaabat 2013 Saudi International Electronics, Communications and Photonics …, 2013 | 2 | 2013 |
