Mark Hopkinson

عدد مرات الاقتباسات

	الكل	قبل 2018
اقتباسات	15749	2819
h-index	63	24
i10-index	308	81

1100

550

275

825

19941995199619971998199920002001200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202350 61 76 86 118 157 218 260 320 388 550 749 691 935 991 992 1029 893 864 725 716 638 673 535 590 550 433 484 467 294

عدد المنشورات المتاحة للجميع

عرض المجموعة جميعها

57 مقالة

7 مقالات

المقالات البحثية المتاحة للجميع

المقالات البحثية غير المتاحة للجميع

تمّ اختيار المعلومات استنادًا إلى تفويضات التمويل

المؤلفون المشاركون

M S SkolnickProfessor of Physics, University of Sheffieldبريد إلكتروني تم التحقق منه على sheffield.ac.uk
Huiyun LiuProfessor of Semiconductor Photonics, University College Londonبريد إلكتروني تم التحقق منه على ucl.ac.uk
JPR DavidUniversity of Sheffieldبريد إلكتروني تم التحقق منه على sheffield.ac.uk
Kristian GroomSenior Lecturer, The University of Sheffieldبريد إلكتروني تم التحقق منه على sheffield.ac.uk
Luke R WilsonSheffieldبريد إلكتروني تم التحقق منه على sheffield.ac.uk
Anthony CullisEmeritus Professor, University of Sheffield, UKبريد إلكتروني تم التحقق منه على sheffield.ac.uk
Richard Andrew HoggProfessor of Photonic Devices and Systems, James Watt School of Engineering, The University ofبريد إلكتروني تم التحقق منه على glasgow.ac.uk
Alexander TartakovskiiProfessor of Solid State Physics, University of Sheffieldبريد إلكتروني تم التحقق منه على sheffield.ac.uk
Anthony M FoxProfessor of Optical Physics, University of Sheffieldبريد إلكتروني تم التحقق منه على sheffield.ac.uk
Jonathan J. FinleyProfessor of Semiconductor Quantum Nanoscienceبريد إلكتروني تم التحقق منه على wsi.tum.de
Robert J AireyResearch Associate in Electronic Engineeringبريد إلكتروني تم التحقق منه على sheffield.ac.uk
Ian SellersProfessor at University of Oklahomaبريد إلكتروني تم التحقق منه على ou.edu
Jo Shien NgProfessor of Semiconductor Devices, University of Sheffieldبريد إلكتروني تم التحقق منه على sheffield.ac.uk
Paul KoenraadEindhoven University of Technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على tue.nl
David Gonzalez RobledoCatedrático de universidad, Universidad de Cádizبريد إلكتروني تم التحقق منه على gm.uca.es
Maxime HuguesCRHEA-CNRSبريد إلكتروني تم التحقق منه على crhea.cnrs.fr
Laurence EavesUniversity of Nottinghamبريد إلكتروني تم التحقق منه على nottingham.ac.uk
Daniele SanvittoCNR NANOTEC – Institute of Nanotechnologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على cnr.it

متابعة

Mark Hopkinson

University of Sheffield

بريد إلكتروني تم التحقق منه على sheffield.ac.uk - الصفحة الرئيسية

Electronic and Electrical Engineering


عنوان ترتيب حسب الاقتباسات ترتيب حسب السنة الترتيب حسب العنوان	عدد مرات الاقتباسات عدد مرات الاقتباسات	السنة
Inverted electron-hole alignment in InAs-GaAs self-assembled quantum dots‏ PW Fry, IE Itskevich, DJ Mowbray, MS Skolnick, JJ Finley, JA Barker, ...‏ Physical review letters 84 (4), 733, 2000‏	699	2000
Nature of the Stranski-Krastanow transition during epitaxy of InGaAs on GaAs‏ T Walther, AG Cullis, DJ Norris, M Hopkinson‏ Physical Review Letters 86 (11), 2381, 2001‏	326	2001
Improved performance of 1.3 μm multilayer InAs quantum-dot lasers using a high-growth-temperature GaAs spacer layer‏ HY Liu, IR Sellers, TJ Badcock, DJ Mowbray, MS Skolnick, KM Groom, ...‏ Applied Physics Letters 85 (5), 704-706, 2004‏	316	2004
Determination of the shape and indium distribution of low-growth-rate InAs quantum dots by cross-sectional scanning tunneling microscopy‏ DM Bruls, J Vugs, PM Koenraad, HWM Salemink, JH Wolter, ...‏ Applied physics letters 81 (9), 1708-1710, 2002‏	287	2002
Charged and neutral exciton complexes in individual self-assembled In (Ga) As quantum dots‏ JJ Finley, AD Ashmore, A Lemaître, DJ Mowbray, MS Skolnick, ...‏ Physical Review B 63 (7), 073307, 2001‏	241	2001
Electronic energy levels and energy relaxation mechanisms in self-organized InAs/GaAs quantum dots‏ MJ Steer, DJ Mowbray, WR Tribe, MS Skolnick, MD Sturge, M Hopkinson, ...‏ Physical Review B 54 (24), 17738, 1996‏	226	1996
Optimizing the growth of 1.3 μm InAs/InGaAs dots-in-a-well structure‏ HY Liu, M Hopkinson, CN Harrison, MJ Steer, R Frith, IR Sellers, ...‏ Journal of applied physics 93 (5), 2931-2936, 2003‏	217	2003
Observation of multicharged excitons and biexcitons in a single InGaAs quantum dot‏ JJ Finley, PW Fry, AD Ashmore, A Lemaître, AI Tartakovskii, R Oulton, ...‏ Physical Review B 63 (16), 161305, 2001‏	203	2001
Emission spectra and mode structure of InAs/GaAs self-organized quantum dot lasers‏ L Harris, DJ Mowbray, MS Skolnick, M Hopkinson, G Hill‏ Applied physics letters 73 (7), 969-971, 1998‏	195	1998
Nuclear spin switch in semiconductor quantum dots‏ AI Tartakovskii, T Wright, A Russell, VI Fal’Ko, AB Van’Kov, ...‏ Physical review letters 98 (2), 026806, 2007‏	190	2007
Experimental investigation of the effect of wetting-layer states on the gain–current characteristic of quantum-dot lasers‏ DR Matthews, HD Summers, PM Smowton, M Hopkinson‏ Applied Physics Letters 81 (26), 4904-4906, 2002‏	180	2002
Fast optical preparation, control, and readout of a single quantum dot spin‏ AJ Ramsay, SJ Boyle, RS Kolodka, JBB Oliveira, J Skiba-Szymanska, ...‏ Physical review letters 100 (19), 197401, 2008‏	174	2008
Long-wavelength light emission and lasing from InAs∕ GaAs quantum dots covered by a GaAsSb strain-reducing layer‏ HY Liu, MJ Steer, TJ Badcock, DJ Mowbray, MS Skolnick, P Navaretti, ...‏ Applied Physics Letters 86 (14), 2005‏	165	2005
Quantum-confined Stark shifts of charged exciton complexes in quantum dots‏ JJ Finley, M Sabathil, P Vogl, G Abstreiter, R Oulton, AI Tartakovskii, ...‏ Physical Review B 70 (20), 201308, 2004‏	161	2004
High-performance three-layer 1.3-μm InAs-GaAs quantum-dot lasers with very low continuous-wave room-temperature threshold currents‏ HY Liu, DT Childs, TJ Badcock, KM Groom, IR Sellers, M Hopkinson, ...‏ IEEE Photonics Technology Letters 17 (6), 1139-1141, 2005‏	158	2005
Stranski-Krastanow transition and epitaxial island growth‏ AG Cullis, DJ Norris, T Walther, MA Migliorato, M Hopkinson‏ Physical Review B 66 (8), 081305, 2002‏	158	2002
Fine structure of charged and neutral excitons in InAs-Al 0.6 Ga 0.4 As quantum dots‏ JJ Finley, DJ Mowbray, MS Skolnick, AD Ashmore, C Baker, AFG Monte, ...‏ Physical Review B 66 (15), 153316, 2002‏	155	2002
1.3 µm InAs/GaAs multilayer quantum-dot laser with extremely low room-temperature threshold current density‏ IR Sellers, HY Liu, KM Groom, DT Childs, D Robbins, TJ Badcock, ...‏ Electronics Letters 40 (22), 1, 2004‏	151	2004
InGaAs∕ AlAsSb∕ InP quantum cascade lasers operating at wavelengths close to 3μm‏ DG Revin, JW Cockburn, MJ Steer, RJ Airey, M Hopkinson, AB Krysa, ...‏ Applied Physics Letters 90 (2), 2007‏	142	2007
Mode structure of the L3 photonic crystal cavity‏ ARA Chalcraft, S Lam, D O’Brien, TF Krauss, M Sahin, D Szymanski, ...‏ Applied physics letters 90 (24), 2007‏	141	2007

يتعذر على النظام إجراء العملية في الوقت الحالي. عاود المحاولة لاحقًا.

مقالات 1–20

عدد الاقتباسات في العام

اقتباسات مكررة

الاقتباسات المدمجة

إضافة مؤلفين مشاركينالمؤلفون المشاركون

متابعة

عدد مرات الاقتباسات

المؤلفون المشاركون